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发布时间： 2018/4/23 14:53:55 | 529 次阅读
零件编号 SVD5865NLT4GOSTR-ND
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
SVD5865NLT4G
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 29nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 3.1W（Ta），71W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 16 毫欧 @ 19A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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