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发布时间： 2021/9/6 16:03:30 | 265 次阅读
IRFB7434PBF 产品信息：
数据列表 IRFB7434PBF;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®，StrongIRFET™
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 195A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.6 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 324nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 10820pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 294W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
IRFB7434PBF 技术资料：
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Infineon公司是十大半导体制造商之一。1999年5月1日，西门子半导体公司正式更名为Infineon，总部设在德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。1998年Infineon公司是十大半导体制造商之一。该公司在亚、欧、美三大洲5个国家拥有10个制造工厂，在九个国家设有16个研发中心，1998年员工约25,000人，主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。
