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深圳市科祥威电子科技有限公司

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供应MT46V8M16P-75:D集成电路(IC) 存储器
供应MT46V8M16P-75:D集成电路(IC) 存储器
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MT46V8M16P-75:D集成电路(IC) 存储器

类别:

集成电路

封装:

66-TSOP

产品族:

存储器

品牌:

Micron Technology Inc.

产品信息

零件编号 MT46V8M16P-75:D-ND

现有数量 5000

制造商

Micron Technology Inc.

制造商零件编号

MT46V8M16P-75:D

类别 集成电路(IC)

存储器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 -

包装 ? 托盘 ?

零件状态 停產

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR

存储容量 128Mb (8M x 16)

时钟频率 133MHz

写周期时间 - 字,页 15ns

访问时间 750ps

存储器接口 并联

电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V

工作温度 0°C ~ 70°C(TA)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽)

供应商器件封装 66-TSOP

基本零件编号 MT46V8M16


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一、设计的基本概念理解

很多产品都包含的  设计,不同的信号具有不同的抗干扰能力。在互连设计过程中必须对不同信号之间的串扰进行合理的控制才能保证终产品的指标要求。

对于以下基本概念的理解非常重要,掌握有关设计的基本概念,有助于理解后面制定得很严格的布局和布线设计规则,从而在终端产品数模混合的设计时,不会轻易打折执行其中的重要约束规则。并且有助于灵活有效地处理数模混合设计方面可能遇到的串扰问题。

1. 模拟信号与数字信号在抗干扰能力方面的重要区别

数字信号电平有较强的抗干扰能力,而模拟信号的抗干扰能力很差。

举个例子,3V 电平的数字信号,即使接收到 0.3V 的串扰信号,也可以容忍,不会对逻辑状态产生影响。但在模拟信号领域,有些信号极微弱,例如 GSM 手机的接收灵敏度能够做到-110dBm 的指标,仅相当于 0.7uV 的正弦波有效值。在 LNA 前端即使接收到 uV 数量级的带内干扰噪声,也足以使基站接收灵敏度大幅度劣化。这种轻微干扰可能来自数字控制信号线或电源地线上的细小的噪声。

从系统的观点来看,数字信号一般只在板上或框内传送。比如内存总线信号、电源控制信号等,只要保证从发送端到接收端接收到的干扰不足以影响逻辑状态的判别即可。而模拟信号需要经过调制、变频、放大、发射、空间传播、接收、解调等一系列过程才能被回复。在此过程之中噪声不断地跌价到信号上,从系统的角度来讲必须保证终的信噪比满足要求才能正确解调。的干扰来自空间传播的衰减和噪声,为了达到更好的通讯性能,必须尽可能减小板内互连引入的串扰。

因此可以认为,模拟信号对串扰的要求比数字信号高几十倍,甚至有可能达到几万倍。