深圳市科祥威电子科技有限公司

IPB100N04S2-04介绍：

描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 172nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 5300pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 300W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TO263-3-2

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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因为MOSFET里代表“metal”的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。