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小朱 
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IPP030N10N3GXKSA1介绍：
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述 通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.5V @ 275μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 206nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 14800pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;
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MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
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